RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
42
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3239
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link