RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3601
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link