Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 42

Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.7 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 31
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 16.7
Скорость записи, Гб/сек

9.0 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2423 3055

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9905668-002.A00G 8GB

Kingston 9905668-002.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB

Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

модули RAM