RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
42
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3436
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link