RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3079
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link