RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
43
Около 2% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
43
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2885
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link