RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
42
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2855
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link