RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
42
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
21
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2250
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link