RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3040
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link