RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
20.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
4122
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B2GC9.CY10C 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link