RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3039
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link