RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2901
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link