RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
42
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3322
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G133381 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link