RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
10600
Около 2.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
23400
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3310
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link