RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
43
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
43
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2128
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link