RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
42
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
37
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2191
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link