RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
42
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3098
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link