RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
42
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2476
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link