RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
104
Около -352% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2408
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link