RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
104
Около -174% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2429
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AD64C1D1624E1B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link