RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
104
Около -154% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
41
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3006
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link