RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
104
Около -259% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3754
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link