RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
104
Около -247% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3155
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link