RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
104
Около -167% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2134
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link