RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
104
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.9
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
51
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
12.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1081
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 99U5471-024.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-011.A01LF 2GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link