RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
104
Около -206% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3505
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link