RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
104
Около -197% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2701
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link