RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
104
Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3075
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link