RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
104
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3318
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link