RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
104
Около -285% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3798
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link