RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
104
Около -285% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2955
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NBG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link