RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
104
Около -420% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3088
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link