RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
104
Около -148% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
42
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3170
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link