RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
104
Около -352% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
18.9
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3936
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link