RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
104
Около -285% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3731
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link