RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
104
Около -478% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
18
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
21.1
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3286
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link