RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
104
Около -259% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3140
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link