RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
104
Около -225% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3277
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link