RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
104
Около -285% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3386
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
AMD R748G2400U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link