RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
104
Около -285% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3446
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kllisre 0000 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link