RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
104
Около -181% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2722
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link