RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
104
Около -215% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2941
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link