RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
104
Около -225% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3357
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link