RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
104
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
47
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2640
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link