RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
104
Около -112% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
49
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2589
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link