RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
104
Около -271% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2510
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link