RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
104
Около -235% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2888
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link