Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 16.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,404.5 12.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 104

Около -285% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

104 27
Скорость чтения, Гб/сек

3,192.0 16.2
Скорость записи, Гб/сек

2,404.5 12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

786 2902

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905598-044.A00G 16GB

Kingston 9905598-044.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB

Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Kingston 9905624-033.A00G 8GB

Kingston 9905624-033.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB

Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM