RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
104
Около -420% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3540
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link