RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
104
Около -316% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
20.1
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
4060
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link